林赛斯 DIL L75 水平热膨胀仪和 DIL L75 垂直热膨胀仪是用于测量固体、液体、粉末和糊状物热长度变化的高精度仪器。
DIL L75 水平热膨胀仪具有高度真空密封的设计,能够在真空以及氧化性和还原性气氛下进行测量。DIL L75 垂直热膨胀仪的特点在于其“零摩擦”设计,这特别适用于烧结研究和具有极低膨胀的材料。这两种系统均采用高分辨率线性电感位移传感器,确保高精度、可重复性和长期稳定性。
得益于优异的温度控制以及可选择适配于手套箱使用的特性,它们的应用十分广泛。此外,这两种型号都提供自动压力控制,该功能允许根据不同的应用情况来调节接触压力,并在整个测量过程中保持压力恒定。
DIL L75 垂直热膨胀仪的低温选项可实现在 -263 ℃ 至 220 ℃ 的温度范围内进行测量,它提供了多种样品支架,支持真空操作和可控气氛环境,并确保了测量的高精度以及操作的简便性。
类型 | DIL L75 Horizontal * | DIL L75 Vertical * | |
温度范围: | -180 - 2800 °C | -263 - 2800°C | |
LVDT | |||
Delta L 分辨率: | 0.03 nm | 0.03 nm | |
测量范围: | ±2500 µm | ±2500 µm | |
接触力: | 10 mN - 1 N | 10 mN - 1 N | |
光学编码器 | |||
Delta L 分辨率: | 0.1 nm | 0.1 nm | |
测量范围: | ±25000 µm | ±25000 µm | |
自动样品长度检测: | 具备 | 具备 | |
接触力控制 | 具备 | 具备 | |
接触力: | 10 mN - 5 N | 10 mN - 5 N | |
多炉体配置: | 最多 2 个炉体 | 最多 3 个炉体 | |
电动炉体选项: | 可选 | 可选 | |
气体流量计: | 手动气体计量或质量流量控制器,可控制 1 种、3 种或更多种气体 | 手动气体计量或质量流量控制器,可控制 1 种、3 种或更多种气体 | |
接触力调整: | 包含 | 包含 | |
单杆/双杆热膨胀 | 可选 | 可选 | |
软化点检测: | 包含 | 包含 | |
密度测定: | 包含 | 包含 | |
L - DTA: | 可选(可达 2000 °C) | 可选(可达 2000 °C) | |
速率控制烧结 (RCS): | 包含 | 包含 | |
热分析数据库: | 包含 | 包含 | |
电恒温探头: | 包含 | 包含 | |
低温附件: | LN2,内部冷却器 | LN2,内部冷却器 | |
真空密闭设计: | 具备 | 具备 | |
自动排空系统: | 可选 | 可选 | |
OGS 除氧系统: | 可选 | 可选 | |
* 规格取决于配置 |
广泛应用于玻璃、陶瓷、金属、建筑材料、复合材料、聚合物等材料的测量。
热膨胀法是一种用于测定玻璃陶瓷热膨胀系数(CTE)和软化点的极好的方法。除了绝对膨胀量之外,还可以计算相对膨胀量和热膨胀系数 (CTE),以及绝对膨胀量对温度的一阶导数。
微分曲线的零值点处对应的是热膨胀量的最大值,因此可以精确地计算出材料的软化点。
在高科技陶瓷的生产过程中,烧结过程的模拟具有重要意义。使用可选的速率控制烧结(RCS)软件包,可以根据 PALMOUR III理论,使用热膨胀仪来控制材料的烧结过程。
此应用展示了二氧化锆(ZrO₂)生坯(一种典型的陶瓷原材料)的烧结过程。 在此应用中,对氧化锆(ZrO₂)的烧结过程进行控制,通过将升温速率作为密度的函数来进行调控,从而实现最终达到 100% 的致密度。
使用 L75 热膨胀仪和差热分析(DTA)评估附加组件,可以对结晶态(SiO₂)样品进行同时带有温度校准的DTA测量。在样品的线性升温阶段,控制行为会因吸热和放热反应而发生改变,并且该变化会由软件程序进行校正。从这些变化中生成一条 DTA 曲线。
根据文献报道,对于 SiO₂ 而言,这种转变发生在 574 ℃,因此可以利用 DTA 峰来检验校准情况。