芯片由加热器和温度传感器组成，具有很高的再现性，由于质量小，具有出色的温度控制和高达300 K/min的加热速率。集成传感器易于更换，性价比高。芯片传感器的集成设计可提供较好的原始数据，无需对热流数据进行预处理或后处理即可直接进行分析。
低能耗和良好的动态响应功能，使得 Chip DSC具有优异的性能。
| 型号 | Chip -DSC 10 (Chip DSC L66 Advanced) |
| 温度范围 | -180- 600 °C(带相应的冷却装置） |
| 加热和冷却速率 | 0.001- 300 K/min 淬火冷却附件（-180 - 600°C）提供一个围绕传感器和样品的开放式冷却容器， 根据冷却剂的不同，样品温度可降至-180°C。 |
| 温度精度 | ±0.2K |
| 重复性 | ±0.02K |
| 数字分辨率 | 16,800,000 points |
| 分辨率 | 0.03 µW |
| 气氛 | 惰性、氧化（静态、动态） |
| 测量范围 | ±2.5 至 ±1000 mW |
| 校准材料 | 包含 |
| 校准周期 | 建议每隔6个月校准一次 |
LINSEIS Chip DSC可在无需主动式冷却器的条件下，提供快速的弹道式冷却速率。由于低热质量和创新的传感器设计，可以实现400°C时高达500 K / min的冷却速率。随着高达90 K / min的冷却速率，可以冷却到100°C。通过弹道冷却，只需4分钟即可从400°C冷却到30°C。在冷却过程中仍然可以对信号进行评估，既不失去灵敏度，也不失去准确性。
含能材料被用于安全气囊的推进剂，以便在发生事故时爆破材料。其他类型的DSC，都存在传感器甚至炉体损坏的风险，而芯片式DSC，操作人员可在较短时间内以低成本轻松更换芯片（集成传感器及加热炉）。在很大程度上减少了仪器损坏时所需要的停机时间，几秒钟即可更换传感器，半小时即可完成校准。图例为2.8mg安全气囊点火器的DSC曲线图。
加热速率可达1000 K/min，同时仍能保持良好的熔化焓重现性。如图示例，以不同的加热速率(5 K/min；50 K/min；100 K/min；200 K/min；300 K/min和500 K/min)测量铟的熔点。一个完整的测量过程（包括加热和冷却），在10分钟内就可以完成，无需其他冷却装置。
传统的 DSC 设备在测量过程中无法观察样品。而实时观察样品可以提供很多有用的信息（气泡或蒸汽的形成、颜色变化等）。上图显示了热致变色材料在 160 °C 时发生吸热相变。这个相态具有不同的颜色，透过透明盖子可以看到从红色到黄色的颜色变化。（可选记录图像的照相机功能）。
如图显示的是蓝宝石比热容的调制测量，加热速率为 10 K/min，振幅为 3 K。由于温度变化迅速，样品比热容导致振幅变化，因此可以获得良好的信号质量，从而可以评估比热容，误差仅为 3.5%。这一结果明显优于大多数 DSC 设备。
